Transistor canal N 2SK1358, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS II.5. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31