Transistor canal N 2SK2611, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2040pF. C (out): 190pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. Marquage sur le boîtier: K2611. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 95 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1.6us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31