Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529

Transistor canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529
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Quantité HT TTC
1 - 1 14.43$ 15.60$
2 - 2 13.71$ 14.82$
3 - 4 13.42$ 14.51$
5 - 9 12.99$ 14.04$
10 - 19 12.70$ 13.73$
20 - 29 12.27$ 13.26$
30 - 54 11.84$ 12.80$
Quantité U.P
1 - 1 14.43$ 15.60$
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3 - 4 13.42$ 14.51$
5 - 9 12.99$ 14.04$
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Transistor canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529. Transistor canal N, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 180V. C (in): 700pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Protection G-S: non. Marquage sur le boîtier: K1529. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SJ200. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 02:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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ECX10N20

ECX10N20

Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: T...
ECX10N20
Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V
ECX10N20
Transistor canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V
Lot de 1
16.28$ TTC
(15.06$ HT)
16.28$

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