Transistor canal N 2SK2039, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 690pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: haute vitesse. Id(imp): 15A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: V-MOS. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31