Transistor canal N 2SK2750, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Transistor canal N 2SK2750, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.00$
5-24
2.69$
25-49
2.47$
50-99
2.27$
100+
2.02$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 69

Transistor canal N 2SK2750, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 65pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K2750. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 85 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSV). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK2750
33 paramètres
Id (T=25°C)
3.5A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
1.7 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
600V
C (in)
800pF
C (out)
65pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
35W
Fonction
Chopper Regulator, DC-DC Converter
Id(imp)
14A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
K2750
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
85 ns
Td(on)
50 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSV)
Température de fonctionnement
-...+150°C
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1400 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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