Transistor canal N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor canal N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.68$
5-24
2.00$
25-49
1.75$
50+
1.63$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 89

Transistor canal N 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 3.5A. Id (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (maxi): 3.5A. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 14A. Marquage sur le boîtier: K3567. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK3567
23 paramètres
Id (T=100°C)
3.5A
Id (T=25°C)
3.5A
Idss
100mA
Idss (maxi)
3.5A
Résistance passante Rds On
1.7 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
600V
Dissipation de puissance maxi
35W
Fonction
Alimentation à découpage (SMPS)
Id(imp)
14A
Marquage sur le boîtier
K3567
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Technologie
Field Effect (TT-MOSVI)
Tension grille/source Vgs
30 v
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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