Transistor canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V

Transistor canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.81$
5-9
4.30$
10-24
3.97$
25-49
3.71$
50+
3.31$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 16

Transistor canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( 2-10R1B ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 2040pF. C (out): 230pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 40A. Idss (min): na. Marquage sur le boîtier: K2843. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 190 ns. Td(on): 58 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT.MOSV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK2843
32 paramètres
Id (T=25°C)
10A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.54 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F ( 2-10R1B )
Tension Vds(max)
600V
C (in)
2040pF
C (out)
230pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
45W
Fonction
Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive
Id(imp)
40A
Idss (min)
na
Marquage sur le boîtier
K2843
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
190 ns
Td(on)
58 ns
Technologie
Transistor à effet de champ, type MOS (TT.MOSV)
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1300 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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