Transistor canal N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V

Transistor canal N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.08$
5-9
2.74$
10-24
2.42$
25-49
2.24$
50+
1.91$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 66

Transistor canal N FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 30A. Idss (min): na. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:26

Documentation technique (PDF)
FS10KM-12
27 paramètres
Id (T=100°C)
5A
Id (T=25°C)
10A
Idss (maxi)
1mA
Résistance passante Rds On
0.72 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FN
Tension Vds(max)
600V
C (in)
1500pF
C (out)
170pF
Dissipation de puissance maxi
40W
Fonction
Commutation à haute vitesse
Id(imp)
30A
Idss (min)
na
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Protection G-S
oui
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
Td(off)
130 ns
Td(on)
25 ns
Technologie
Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Mitsubishi Electric Semiconductor

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