Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107

Transistor canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107
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1 - 4 1.43$ 1.55$
5 - 9 1.36$ 1.47$
10 - 24 1.32$ 1.43$
25 - 49 1.29$ 1.39$
50 - 99 1.26$ 1.36$
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Transistor canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107. Transistor canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. Id (T=25°C): 120mA. Idss (maxi): 30nA. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. C (in): 85pF. C (out): 20pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Diode Tff(25°C): 8 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 2A. Marquage sur le boîtier: BS107. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur Diodes Inc.. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 11:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, TO-92, TO-92, 200V, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. Id (T=25°C): 250mA. Idss (maxi): 30nA. Résistance passante Rds On: 6.4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. C (in): 60pF. C (out): 30pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 500mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.6W
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