| Quantité en stock: 65 |
Transistor canal N CEB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.27$
5-49
1.01$
50-99
0.84$
100+
0.74$
| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 718 |
Transistor canal N CEB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Chino-excel Technology Corp. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19
CEB6030L
15 paramètres
Id (T=25°C)
52A
Idss (maxi)
52A
Résistance passante Rds On
0.011 Ohms
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (selon fiche technique)
D2PAK ( TO-263 )
Tension Vds(max)
30 v
Dissipation de puissance maxi
75W
Fonction
Mode d'amélioration du niveau logique
Id(imp)
156A
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Quantité par boîtier
1
Technologie
Field Effect Power MOSFET
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Chino-excel Technology Corp.
Produits équivalents et/ou accessoires pour CEB6030L
| Produit obsolète, bientôt retiré du catalogue. Dernières pièces disponibles | |
| Quantité en stock: 285 |