Transistor canal N SPB56N03L, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v

Transistor canal N SPB56N03L, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.46$
5-24
1.21$
25-49
1.02$
50+
0.92$
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Transistor canal N SPB56N03L, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 56A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: 56N03L. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: SIPMOS Power Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Siemens. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:33

SPB56N03L
14 paramètres
Id (T=25°C)
56A
Idss (maxi)
56A
Boîtier
D2PAK ( TO-263 )
Boîtier (selon fiche technique)
TO-263 ( D2PAK )
Tension Vds(max)
30 v
Dissipation de puissance maxi
120W
Fonction
transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique
Marquage sur le boîtier
56N03L
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Quantité par boîtier
1
Technologie
SIPMOS Power Transistor
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Siemens

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