Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 13.03$ | 14.09$ |
2 - 2 | 12.38$ | 13.38$ |
3 - 4 | 12.12$ | 13.10$ |
5 - 9 | 11.73$ | 12.68$ |
10 - 19 | 11.47$ | 12.40$ |
20 - 29 | 11.08$ | 11.98$ |
30 - 32 | 10.69$ | 11.56$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 13.03$ | 14.09$ |
2 - 2 | 12.38$ | 13.38$ |
3 - 4 | 12.12$ | 13.10$ |
5 - 9 | 11.73$ | 12.68$ |
10 - 19 | 11.47$ | 12.40$ |
20 - 29 | 11.08$ | 11.98$ |
30 - 32 | 10.69$ | 11.56$ |
Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms - FQA13N80-F109. Transistor canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 12.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 2700pF. C (out): 275pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 850 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Id(imp): 50.4A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 11:25.
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