Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 8.20$ | 8.86$ |
2 - 2 | 7.79$ | 8.42$ |
3 - 4 | 7.55$ | 8.16$ |
5 - 9 | 7.38$ | 7.98$ |
10 - 19 | 7.22$ | 7.80$ |
20 - 29 | 6.97$ | 7.53$ |
30 - 83 | 6.72$ | 7.26$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.20$ | 8.86$ |
2 - 2 | 7.79$ | 8.42$ |
3 - 4 | 7.55$ | 8.16$ |
5 - 9 | 7.38$ | 7.98$ |
10 - 19 | 7.22$ | 7.80$ |
20 - 29 | 6.97$ | 7.53$ |
30 - 83 | 6.72$ | 7.26$ |
Transistor canal N, 0.91 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V, 4.4A, 7A, 100uA - FQAF11N90C. Transistor canal N, 0.91 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V, 4.4A, 7A, 100uA. Résistance passante Rds On: 0.91 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 900V. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 100uA. RoHS: oui. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 2530pF. C (out): 215pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Protection G-S: non. Id(imp): 28A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 17:25.
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