Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A - IRF3205STRLPBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.11$ | 3.36$ |
| 5 - 9 | 2.96$ | 3.20$ |
| 10 - 24 | 2.87$ | 3.10$ |
| 25 - 49 | 2.00$ | 2.16$ |
| 50 - 99 | 1.96$ | 2.12$ |
| 100 - 249 | 1.89$ | 2.04$ |
| 250 - 1402 | 1.82$ | 1.97$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.11$ | 3.36$ |
| 5 - 9 | 2.96$ | 3.20$ |
| 10 - 24 | 2.87$ | 3.10$ |
| 25 - 49 | 2.00$ | 2.16$ |
| 50 - 99 | 1.96$ | 2.12$ |
| 100 - 249 | 1.89$ | 2.04$ |
| 250 - 1402 | 1.82$ | 1.97$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A - IRF3205STRLPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F3205S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 16:25.
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