Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.86$ | 3.09$ |
5 - 9 | 2.71$ | 2.93$ |
10 - 24 | 2.63$ | 2.84$ |
25 - 49 | 2.57$ | 2.78$ |
50 - 99 | 2.51$ | 2.71$ |
100 - 249 | 2.43$ | 2.63$ |
250 - 4000 | 2.34$ | 2.53$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.86$ | 3.09$ |
5 - 9 | 2.71$ | 2.93$ |
10 - 24 | 2.63$ | 2.84$ |
25 - 49 | 2.57$ | 2.78$ |
50 - 99 | 2.51$ | 2.71$ |
100 - 249 | 2.43$ | 2.63$ |
250 - 4000 | 2.34$ | 2.53$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A - IRF7313TRPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7313. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 11:25.
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