Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 4.1A - IRFBE30PBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.38$ | 3.65$ |
| 5 - 9 | 3.21$ | 3.47$ |
| 10 - 24 | 2.59$ | 2.80$ |
| 25 - 49 | 2.53$ | 2.73$ |
| 50 - 99 | 2.48$ | 2.68$ |
| 100 - 249 | 2.39$ | 2.58$ |
| 250 - 277 | 2.31$ | 2.50$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 3.38$ | 3.65$ |
| 5 - 9 | 3.21$ | 3.47$ |
| 10 - 24 | 2.59$ | 2.80$ |
| 25 - 49 | 2.53$ | 2.73$ |
| 50 - 99 | 2.48$ | 2.68$ |
| 100 - 249 | 2.39$ | 2.58$ |
| 250 - 277 | 2.31$ | 2.50$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 4.1A - IRFBE30PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 4.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFBE30PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 82 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay. Quantité en stock actualisée le 01/08/2025, 10:25.
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