| Quantité en stock: 126 |
Transistor canal N IRFZ34N, TO-220, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220AB, 55V
Quantité
Prix unitaire
1-4
1.61$
5-24
1.38$
25-49
1.22$
50-99
1.06$
100+
0.90$
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| Equivalence disponible | |
| Quantité en stock: 270 |
Transistor canal N IRFZ34N, TO-220, 20A, 29A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 29A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 700pF. C (out): 240pF. Charge: 22.7nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 26A. Dissipation de puissance maxi: 68W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 100A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 56W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 2.7K/W. Td(off): 31 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 57 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 21:11
IRFZ34N
38 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
20A
Id (T=25°C)
29A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.04 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
700pF
C (out)
240pF
Charge
22.7nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
26A
Dissipation de puissance maxi
68W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
100A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Puissance
56W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
2.7K/W
Td(off)
31 ns
Td(on)
7 ns
Technologie
HEXFET® Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
20V, ±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
57 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier