Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK44N50

Transistor canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK44N50
Quantité HT TTC
1 - 1 32.84$ 35.50$
2 - 2 31.19$ 33.72$
3 - 4 30.54$ 33.01$
5 - 9 29.88$ 32.30$
10 - 14 29.55$ 31.94$
15 - 19 28.90$ 31.24$
20+ 27.91$ 30.17$
Quantité U.P
1 - 1 32.84$ 35.50$
2 - 2 31.19$ 33.72$
3 - 4 30.54$ 33.01$
5 - 9 29.88$ 32.30$
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Transistor canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V - IXFK44N50. Transistor canal N, 44A, 2mA, 0.12 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. C (in): 8400pF. C (out): 900pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: F-Class--MHz Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 176A. Idss (min): 400uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur IXYS. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 14:25.

Documentation technique

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IXFK48N50
Transistor canal N, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V, 48A, 2mA, 0.10 Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 8400pF. C (out): 900pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: F-Class--MHz Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 192A. Idss (min): 400uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W
IXFK48N50
Transistor canal N, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V, 48A, 2mA, 0.10 Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 8400pF. C (out): 900pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: F-Class--MHz Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 192A. Idss (min): 400uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W
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