Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 43.22$ | 46.72$ |
2 - 2 | 41.06$ | 44.39$ |
3 - 4 | 40.19$ | 43.45$ |
5 - 9 | 39.33$ | 42.52$ |
10 - 14 | 38.90$ | 42.05$ |
15 - 15 | 38.03$ | 41.11$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 43.22$ | 46.72$ |
2 - 2 | 41.06$ | 44.39$ |
3 - 4 | 40.19$ | 43.45$ |
5 - 9 | 39.33$ | 42.52$ |
10 - 14 | 38.90$ | 42.05$ |
15 - 15 | 38.03$ | 41.11$ |
Transistor canal N, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V, 48A, 2mA, 0.10 Ohms - IXFK48N50. Transistor canal N, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 500V, 48A, 2mA, 0.10 Ohms. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Tension Vds(max): 500V. Id (T=25°C): 48A. Idss (maxi): 2mA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Spec info: dv/dt 5V/ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 8400pF. C (out): 900pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: F-Class--MHz Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 192A. Idss (min): 400uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. Produit d'origine constructeur IXYS. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 10:25.
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