Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.67$ | 2.89$ |
5 - 9 | 2.53$ | 2.73$ |
10 - 24 | 2.45$ | 2.65$ |
25 - 49 | 2.40$ | 2.59$ |
50 - 99 | 2.35$ | 2.54$ |
100 - 249 | 2.27$ | 2.45$ |
250 - 7648 | 2.19$ | 2.37$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.67$ | 2.89$ |
5 - 9 | 2.53$ | 2.73$ |
10 - 24 | 2.45$ | 2.65$ |
25 - 49 | 2.40$ | 2.59$ |
50 - 99 | 2.35$ | 2.54$ |
100 - 249 | 2.27$ | 2.45$ |
250 - 7648 | 2.19$ | 2.37$ |
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A - SI2308BDS-T1-GE3. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, MS-012, 60V, 2.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 11:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.