Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - SPA08N80C3

Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - SPA08N80C3
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5 - 9 5.26$ 5.69$
10 - 24 5.09$ 5.50$
25 - 41 4.98$ 5.38$
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Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V - SPA08N80C3. Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 0.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.56 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1100pF. C (out): 46pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: 08N60C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 14:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 316
SPA11N80C3

SPA11N80C3

Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. ...
SPA11N80C3
Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
SPA11N80C3
Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
6.73$ TTC
(6.23$ HT)
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Quantité en stock : 645
FQPF8N80C

FQPF8N80C

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Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Protection G-S: non. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
FQPF8N80C
Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Protection G-S: non. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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