Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V - SPA11N80C3

Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V - SPA11N80C3
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5 - 9 5.92$ 6.40$
10 - 24 5.73$ 6.19$
25 - 49 5.61$ 6.06$
50 - 99 5.48$ 5.92$
100 - 316 4.88$ 5.28$
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1 - 4 6.23$ 6.73$
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Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V - SPA11N80C3. Transistor canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3-1. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 33A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 41W. Spec info: Boîtier entièrement isolé (2500VAC /1 minute). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 13:25.

Documentation technique

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