Transistor canal N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

Transistor canal N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.44$
5-24
2.10$
25-49
1.90$
50+
1.74$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1

Transistor canal N STP11NB40FP, 3.8A, 6A, 50uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 400V. C (in): 1250pF. C (out): 210pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 42.8A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Viso 2000VDC. RoHS: oui. Td(off): 10 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerMESH MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 06:29

Documentation technique (PDF)
STP11NB40FP
30 paramètres
Id (T=100°C)
3.8A
Id (T=25°C)
6A
Idss (maxi)
50uA
Résistance passante Rds On
0.48 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
400V
C (in)
1250pF
C (out)
210pF
Dissipation de puissance maxi
40W
Fonction
Commutation à haute vitesse
Id(imp)
42.8A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
Remarque
Viso 2000VDC
RoHS
oui
Td(off)
10 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
PowerMESH MOSFET
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
400 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

Produits équivalents et/ou accessoires pour STP11NB40FP