Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW11NK100Z

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Transistor canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V - STW11NK100Z. Transistor canal N, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. Id (T=100°C): 5.2A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 3500pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 560 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: capacité dv/dt extrêmement élevée, applications de commutation. Protection G-S: oui. Id(imp): 33.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W11NK100Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 98 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 17:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 1000V. C (in): 2800pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 24A. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v
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