Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 3.89$ | 4.21$ |
5 - 9 | 3.70$ | 4.00$ |
10 - 24 | 3.58$ | 3.87$ |
25 - 49 | 3.50$ | 3.78$ |
50 - 99 | 3.42$ | 3.70$ |
100 - 249 | 3.11$ | 3.36$ |
250 - 676 | 3.00$ | 3.24$ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.89$ | 4.21$ |
5 - 9 | 3.70$ | 4.00$ |
10 - 24 | 3.58$ | 3.87$ |
25 - 49 | 3.50$ | 3.78$ |
50 - 99 | 3.42$ | 3.70$ |
100 - 249 | 3.11$ | 3.36$ |
250 - 676 | 3.00$ | 3.24$ |
Transistor canal P, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V, 70A, 250uA - IRF4905SPBF. Transistor canal P, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V, 70A, 250uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 3400pF. C (out): 1400pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 89 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, résistance à l'état passant ultra faible. Protection G-S: non. Id(imp): 260A. Id (T=100°C): 42A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 07:25.
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