Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A - IRF5305STRLPBF
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.45$ | 4.81$ |
| 5 - 9 | 4.22$ | 4.56$ |
| 10 - 24 | 4.09$ | 4.42$ |
| 25 - 49 | 3.14$ | 3.39$ |
| 50 - 99 | 3.07$ | 3.32$ |
| 100 - 249 | 2.97$ | 3.21$ |
| 250 - 750 | 2.86$ | 3.09$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 4.45$ | 4.81$ |
| 5 - 9 | 4.22$ | 4.56$ |
| 10 - 24 | 4.09$ | 4.42$ |
| 25 - 49 | 3.14$ | 3.39$ |
| 50 - 99 | 3.07$ | 3.32$ |
| 100 - 249 | 2.97$ | 3.21$ |
| 250 - 750 | 2.86$ | 3.09$ |
Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A - IRF5305STRLPBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5305S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 25/07/2025, 16:25.
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