Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 18.05$ | 19.51$ |
| 2 - 2 | 17.15$ | 18.54$ |
| 3 - 4 | 16.79$ | 18.15$ |
| 5 - 9 | 16.25$ | 17.57$ |
| 10 - 14 | 15.89$ | 17.18$ |
| 15 - 19 | 15.35$ | 16.59$ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 18.05$ | 19.51$ |
| 2 - 2 | 17.15$ | 18.54$ |
| 3 - 4 | 16.79$ | 18.15$ |
| 5 - 9 | 16.25$ | 17.57$ |
| 10 - 14 | 15.89$ | 17.18$ |
| 15 - 19 | 15.35$ | 16.59$ |
Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FGA40N65SMD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 650V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur maxi (A): 60.4k Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 120ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 174W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 23/07/2025, 13:25.
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