| Quantité en stock: 46 |
Transistor NPN 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V
Quantité
Prix unitaire
1-4
2.31$
5-9
2.01$
10-24
1.80$
25-49
1.66$
50+
1.43$
| Produit obsolète, bientôt retiré du catalogue | |
| En rupture de stock | |
| Equivalence disponible |
Transistor NPN 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): -. Marquage sur le boîtier: D2012. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1366. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:46
2SD2012
24 paramètres
Courant de collecteur
3A
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
2-10R1A
Tension collecteur/émetteur Vceo
60V
C (out)
35pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
25W
FT
3 MHz
Gain hFE maxi
300
Gain hFE mini
100
Marquage sur le boîtier
D2012
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) 2SB1366
Technologie
Silicon NPN Triple Diffused Type
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1V
Type de transistor
NPN
Vcbo
60V
Vebo
7V
Produit d'origine constructeur
Toshiba