Transistor NPN KSD2012GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Ic(puls): -. Marquage sur le boîtier: D2012-G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSB1366. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27