Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018

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25 - 49 0.77$ 0.83$
50 - 99 0.75$ 0.81$
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Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v - KTC9018. Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 20mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 800 MHz. Fonction: FM-V/M/O. Gain hFE maxi: 198. Gain hFE mini: 40. Marquage sur le boîtier: 15.8k Ohms. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Produit d'origine constructeur Korea Electronics Semi.. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 12:25.

Documentation technique

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Transistor NPN, TO-92, TO-92, 40V, 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Courant de collecteur: 100mA. RoHS: oui. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Tf(max): 75 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Diode BE: non. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100
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