Transistor NPN MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V

Transistor NPN MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V

Quantité
Prix unitaire
1-4
6.17$
5-24
5.46$
25-49
4.93$
50+
4.46$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 17

Transistor NPN MD2001FX, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-FX. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. C (out): 4pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 58W. FT: kHz. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4.5. Ic(puls): 18A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 9V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:52

Documentation technique (PDF)
MD2001FX
26 paramètres
Courant de collecteur
12A
Boîtier
ISOWATT218FX
Boîtier (selon fiche technique)
TO-218-FX
Tension collecteur/émetteur Vceo
700V
C (out)
4pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
58W
FT
kHz
Fonction
FAST-SWITCH
Gain hFE maxi
7
Gain hFE mini
4.5
Ic(puls)
18A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Température
+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1.8V
Tf(max)
2.6us
Tf(min)
0.2us
Type de transistor
NPN
Vcbo
1500V
Vebo
9V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics

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