Transistor PNP KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

Transistor PNP KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.40$
5-9
2.10$
10-24
1.88$
25-99
1.71$
100+
1.46$
Equivalence disponible
Quantité en stock: 73

Transistor PNP KSB1366GTU, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. FT: 9 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Ic(puls): -. Marquage sur le boîtier: B1366-G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSD2012. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 7V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52

Documentation technique (PDF)
KSB1366GTU
25 paramètres
Courant de collecteur
3A
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension collecteur/émetteur Vceo
60V
C (out)
35pF
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
25W
FT
9 MHz
Gain hFE maxi
320
Gain hFE mini
150
Marquage sur le boîtier
B1366-G
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
Spec info
transistor complémentaire (paire) KSD2012
Technologie
Silicon PNP Triple Diffused Type
Température de fonctionnement
-55°C à +150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
1V
Type de transistor
PNP
Vcbo
60V
Vebo
7V
Produit d'origine constructeur
Fairchild

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