Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 2A, 60V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Remarque: hFE 200...400. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DF, transistor complémentaire (paire) 2SB1123T. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Ic(puls): 6A. Marquage sur le boîtier: DG. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS DG. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 4000. Gain hFE mini: 3000. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: DI. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DI, transistor complémentaire (paire) 2SB1126. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 2A, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Courant continu élevé, pilotes de relais, contrôle de régulation de tension. Remarque: hFE 3000...4000. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DJ. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DK, hFE 120...200. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 180. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: DK. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: sérigraphie/code CMS DK. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 3.5A, 800V. Courant de collecteur: 3.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 800V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: transistor bipolaire. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: DAQ. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS DAQ. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial planar type'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Id(imp): 12A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1135. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 70. Id(imp): 15A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1136. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 40V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-E-L. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3). Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF/E (F). Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1186A. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 100V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor à boîtier isolé. Remarque: >1000. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 25pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation à haute intensité. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1202. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 35. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1204. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistors'. Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: 'driver'. Gain hFE maxi: 5000. Gain hFE mini: 2000. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V

Transistor NPN, 5A, 700V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Amplificateur de sortie de déflexion horizontale TV couleur.. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 4A, 80V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE mini: 3000. Remarque: =3000. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1342. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/C, 6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 1500V/650V. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): 1500V. Plage de température de fonctionnement max (°C): 650V

Transistor NPN, 10A, 650V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L TV/HA(F). Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V