Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 4A, 350V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Fonction: S-L, SN. Dissipation de puissance maxi: 55W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 50A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV20. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 125V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 CASE 221A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 190V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Conçu pour les applications à grande vitesse. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Tf(max): 150 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 15A, 150V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 85W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, TO-247, 15A, soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor NPN, 5A, 400V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: haute tension, commutation rapide. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, 400V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 32W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, 400V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 32W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 175W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUX48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Dissipation maximale Ptot [W]: 175W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, 2A, 400V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: S. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V

Transistor NPN, TO-220, TO-220, 450V, 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 3A

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 450V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: S-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): SOT-82. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUX87P. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 25 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, 2A, 800V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 2200V

Transistor NPN, 10A, 200V. Courant de collecteur: 10A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 280V

Transistor NPN, 400V, 8A, TO-220AB (MJE13007). Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220AB (MJE13007). Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Puissance: 80W. Fréquence maxi: 4MHz

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 130pF. Diode CE: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: D44H11. Equivalences: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H11. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D44H11G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Courant de collecteur: 10A. Type de transistor: NPN. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Diode BE: non. C (out): 90pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: D44H8G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C