Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Courant de collecteur: 30A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-3, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ802G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Spec info: Commutation à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 400V, 8A, TO-220AB. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220AB. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Puissance: 80W. Fréquence maxi: 14 MHz

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE13009G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 250V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz

Transistor NPN, TO-220, 8A, soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15035G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 12. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE18004G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, 450V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: SMPS. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: SWITCHMODE. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. C (in): 1750pF. C (out): 100pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 34. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V

Transistor NPN, 1000V, 8A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Puissance: 120W

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 45. Dissipation de puissance maxi: 15W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE210. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-225, 4mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE243G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 40 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.015W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE3055T. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, SOT-32, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-32. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Boîtier (norme JEDEC): TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE340. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126 ( TO-225 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: NF-L, VID.. Equivalences: KSE340. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V