Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 20pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Marquage sur le boîtier: C2383 Y. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1013. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Remarque: sérigraphie/code CMS BQ. Marquage sur le boîtier: BQ. Nombre de connexions: 3. Température: +155°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1037. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 400mV

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, P22/U, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: P22/U. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: CSC2342. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: hauteur 5mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 5A. Marquage sur le boîtier: C2500. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D6/C, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D6/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/30V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 1A, 40V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: hFE 100...200. Dissipation de puissance maxi: 8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. C (out): 19pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 155 MHz. Fonction: HF. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 2.5A. Marquage sur le boîtier: C2690A Y. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1220A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. C (out): 1.8pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: amplificateur audio. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 800mA. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: C2705. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1145. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS DG. Marquage sur le boîtier: DG. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1163. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 300mV

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, SOT-103, 20mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-103. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-236, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-236. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 300mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Pour la mise en sourdine et la commutation. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 400mW. RoHS: oui. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 130 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.042V. Vebo: 25V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 70mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V, 70mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Courant de collecteur: 70mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation haute tension. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 140mA

Transistor NPN, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V. Courant de collecteur: 0.14A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1209. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à courant élevé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Remarque: pour applications de commutation. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SA1244. Marquage sur le boîtier: C3074. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D8A/C, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8A/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/19V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D6/C, 150mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D6/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V