Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 100V, 25A, 45pF, 25A, TO-247, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. Boîtier (norme JEDEC): 45pF. Courant de collecteur: 25A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP33C. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 50A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP35C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-247, 100V, 25A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP36CG. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, TO-220, 6A, TO-220, 100V, -100V, -6A. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur: 6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -6A. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP41C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 65W

Transistor PNP, -100V, -6A, TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -6A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz

Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 180pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 180pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 0.2W. Spec info: sérigraphie/code CMS 6B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 180pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 0.2W. Spec info: sérigraphie/code CMS 6D. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 1.6mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Courant de collecteur: 100nA (ICBO). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SM-8. Quantité par boîtier: 2. Tension: 60V. Gain hFE maxi: 100 (500mA, 2V). Nombre de connexions: 8. Maxi: 140 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 2.75W. Type de transistor: PNP & PNP. Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C. Tension de saturation VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX451. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX653. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.17V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 400V, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: ZTX758. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Très faible saturation VBE(sat) 0.9V. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 150. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ZTX690. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92, 70V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: très faible saturation VBE(sat) 0.95V. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 300. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 75V. Tension de saturation VCE(sat): 0.45V. Vebo: 5V