Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 11.8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1220pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 200V. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 76A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 43W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal N, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 11.1A. Id (T=25°C): 15.7A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Protection G-S: non. Id(imp): 62.8A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 543pF. C (out): 54pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 642 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 13nC, faible Crss 5.5pF. Protection G-S: non. Id(imp): 12A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 39W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 740pF. C (out): 65pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Protection G-S: non. Id(imp): 16A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 47W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 2.9A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.14 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 480pF. C (out): 80pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 263 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 18nC, faible Crss 15pF. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 515pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 15nC, faible Crss 6.5pF. Protection G-S: non. Id(imp): 18A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 46 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.57 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1290pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 26.4A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 56W. RoHS: oui. Spec info: Faible charge de grille (40nC typique), Low Crss 10pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Protection G-S: non. Id(imp): 212A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, TO-220FP, TO-220F, 600V, 4.6A, 7.5A, 10uA, 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 965pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 365ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 12pF. Protection G-S: non. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W

Transistor canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.29 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1580pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 690 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Protection G-S: non. Date de production: 201432. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 790pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Protection G-S: non. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 44W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 93 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 40nC, faible Crss 14pF. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 9.3 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 600V. C (in): 130pF. C (out): 19pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FQT1N60C. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. Id (T=100°C): 0.55A. Id (T=25°C): 0.85A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 200V. C (in): 240pF. C (out): 36pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 3.4A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2.2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=100°C): 10.9A. Id (T=25°C): 17.2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.046 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 480pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 54 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 68.8A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. RoHS: oui. Spec info: faible charge de porte (typ 9.5nC). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1500pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: oui. Id(imp): 30A. Idss (min): na. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 10A. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ifsm--30App. Id(imp): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor canal N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 250V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 36A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 75A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 5300pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: ICRM 150A Tp=1ms. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Remarque: 6x IGBT+ CE Diode. Marquage sur le boîtier: FS75R12KE3G. Nombre de connexions: 35. Dimensions: 122x62x17.5mm. Dissipation de puissance maxi: 355W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 1.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1380pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH-SPEED SW.. Protection G-S: oui. Id(imp): 21A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 1200A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 74pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: ICRM--Tp=1mS 2400A. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 1790A. Ic(puls): 2400A. Nombre de connexions: 7. Dissipation de puissance maxi: 7150W. RoHS: non. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.92 ns. Td(on): 0.41 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de seuil Vf (max): 2.35V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V

Transistor canal N, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 5.3m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 1800pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation de puissance, convertisseurs DC/DC. Protection G-S: non. Id(imp): 200A. Idss (min): n/a. Marquage sur le boîtier: G60N04K. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V

Transistor canal N, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor à commande de porte par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 39W. RoHS: oui. Spec info: IDM--80A pulse. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 26 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V