Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 55A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 220A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P55NF06L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 95W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40ms. Td(on): 20ms. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1.7V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P5NK100Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3.6A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 690pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 485 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK60ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: -55°C...+150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+ °C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 910pF. C (out): 98pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 17.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 110W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 2.7A. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 17.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P5NK80ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 910pF. C (out): 98pF. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET

Transistor canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1810pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 73ms. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 60A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P60NF06L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (maxi): 62A. Résistance passante Rds On: 12.5m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 33V. C (in): 1330pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: entièrement protégé. Protection G-S: oui. Id(imp): 248A. Marquage sur le boîtier: P62NS04Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 10V. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. Id (T=100°C): 42A. Id (T=25°C): 60A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. C (in): 1700pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P65NF06. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, TO-220, TO-220, 600V, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 905pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 445 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 104W

Transistor canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 905pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 445 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 24A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK60ZFP. Dissipation de puissance maxi: 32W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V

Transistor canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 23.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 23.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. Id (T=100°C): 70A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0095 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3700pF. C (out): 730pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 132 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P75NF75. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 66 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 4A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 6.5A. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: PowerMesh

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: oui. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 125W. Spec info: Zener-Protected. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 800V, 5.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P7NK80Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1138pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 800V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection G-S: oui. Id(imp): 20.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P7NK80ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) min.: 3.75V. C (in): 1138pF. C (out): 122pF. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 530 ns

Transistor canal N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF06. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 100V, 80A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P80NF10. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 26 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 116 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 120V. C (in): 4300pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 155 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P80NF12. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0065 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3850pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commande de moteur, amplificateur audio. Protection G-S: non. Id(imp): 320A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 68A, 98A, 10uA, 0.0098 Ohms, TO-220, TO-220, 68V. Id (T=100°C): 68A. Id (T=25°C): 98A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 68V. C (in): 2550pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 392A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 80NF70. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. Id (T=100°C): 4.3A. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 700V. C (in): 2350pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 680 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Zener-Protected. Protection G-S: oui. Id(imp): 27A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(on): 30 ns. Technologie: PowerMESH™III MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 1.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1320pF. C (out): 143pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection G-S: oui. Id(imp): 24.8A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P8NK80ZFP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V