Diode BYT30P-1000, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V. IF(AV): 30A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. IRM (max): 5mA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: partie métallique reliée à la cathode. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15