Diodes standard et de redressement

Diode, 8A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: ->l<-. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--80A10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMA, DO-214AC, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. If [A]: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 75A. Tension directe Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 6mA...15mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Diode, 10A/diode, TO-220, TO-220AB, 45V. IF(AV): 10A/diode. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Remarque: double diode au silicium. Remarque: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.65V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V

Diode, 20A, 250A, TO-220FP, TO-220FP, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. Remarque: IFSM--250Ap. IRM (max): 2mA. IRM (min): 4.5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: tension d'isolation 2000VDC, capacité 45pF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.56V

Diode, 10A, 250A, TO-220, TO-220AB, 100V. IF(AV): 10A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. Remarque: diode de redressement Schottky. IRM (max): 6mA. IRM (min): 4.5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.56V

Diode, 2A, 10A, 50A / 10mS, DO-41, DO-41, 100V. IF(AV): 2A. IF(RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: 'High Voltage Power Schottky'. IRM (max): 5mA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.92V. Tension de seuil Vf (min): 0.65V

Diode, 2A, 75A, DO-214, SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ), 40V. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky de puissance. faible chute de tension. Remarque: sérigraphie/code CMS GD4. IRM (max): 80mA. IRM (min): 220uA. Marquage sur le boîtier: GD4. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 0.39V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V

Diode, 30A, 220A, TO-220, TO-220AB, 45V. IF(AV): 30A. IFSM: 220A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 11mA. IRM (min): 200uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V

Diode, 15A, 250A, TO-220, TO-220AB, 100V. IF(AV): 15A. IFSM: 250A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 100V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. Remarque: diode de redressement Schottky. IRM (max): 6mA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--250App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. Tension de seuil Vf (min): 0.64V

Diode, 5A, 75A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252A ( Dpak ), 100V. IF(AV): 5A. IFSM: 75A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252A ( Dpak ). VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: 'High Voltage Power Schottky'. IRM (max): 4.5mA. IRM (min): 3.5uA. Marquage sur le boîtier: S5H100. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: 75App/10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.57V

Diode, 5A, 150A, DO-201, DO-201AD, 40V. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 40V. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Redresseur de puissance Schottky. IRM (max): 0.75mA. IRM (min): 0.2mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Spec info: 150App / 10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V

Diode, 30A, 270A, TO-220, TO-220AB, 170V. IF(AV): 30A. IFSM: 270A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 170V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. Remarque: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Remarque: diode de redressement Schottky. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--270App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.97V

Diode, 8A, TO-220, TO-220AC, 100V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 100V. Matériau semi-conducteur: Sb. Remarque: 'High Voltage Power Schottky'. Remarque: 250App/10ms. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 12A, 110A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 12A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110App/10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 5A, 55A, TO-220FP, ISOWATT TO-220AC, 600V. IF(AV): 5A. IFSM: 55A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra-fast diode. IRM (max): 0.75mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 5A, 45A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 5A. IFSM: 45A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 45 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide, haute tension. IRM (max): 0.3mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Spec info: IFSM--45Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 2.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.35V

Diode, 12A, 80A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 12A. IFSM: 80A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 48 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast recovery - high voltage diode. Marquage sur le boîtier: STTH1210D. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 2x100A, 100A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP, 300V. IF(AV): 2x100A. IFSM: 100A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP. VRRM: 300V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 10. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 55 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement haute tension ultrarapide double. IRM (max): 2mA. IRM (min): 200uA. Nombre de connexions: 4. RoHS: oui. Spec info: IFSM--diode/100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V

Diode, 10A, 110A, TO-220FP, TO-220F, 300V. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 300V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IRM (max): 300uA. IRM (min): 30uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 10A, 110A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 300V. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). VRRM: 300V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IRM (max): 300uA. IRM (min): 30uA. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 10A, 110A, TO-220, TO-220AB, 300V. IF(AV): 10A. IFSM: 110A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. VRRM: 300V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. IRM (max): 300uA. IRM (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 2A, 40A, DO-41, DO-41 ( 5.2X2.7mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: AXIAL TURBO 2 DIODE. Date de production: 201506. IRM (max): 12uA. IRM (min): 2uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--40App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, DO-247, DO-247. Boîtier: DO-247. Boîtier (selon fiche technique): DO-247. Remarque: isolation 2500V. Remarque: diode haute tension, à récupération ultra-rapide. Remarque: 300Ap/5ms, 180Ap/10ms

Diode, 15A, 60.4k Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 300V. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. VRRM: 300V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120Ap tp=10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 15A, 60.4k Ohms, TO-247, TO-247, 600V. IF(AV): 15A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120Ap t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V