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Semi-conducteurs Diodes
Diodes standard et de redressement

Diodes standard et de redressement

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Quantité en stock : 2689
US1M-E3-61T

US1M-E3-61T

Diode, 600V, 1A. VRRM: 600V. Courant redressé moyen par diode: 1A. Type de diode: diode de redresse...
US1M-E3-61T
Diode, 600V, 1A. VRRM: 600V. Courant redressé moyen par diode: 1A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 10uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 75ns
US1M-E3-61T
Diode, 600V, 1A. VRRM: 600V. Courant redressé moyen par diode: 1A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 10uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 75ns
Lot de 1
0.42$ TTC
(0.39$ HT)
0.42$
Quantité en stock : 99
VS-12F120

VS-12F120

Diode, 12A, 265A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 12A. IFSM: 265A. Boîtier: DO-203AB ( ...
VS-12F120
Diode, 12A, 265A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 12A. IFSM: 265A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. Remarque: filetage M5. IRM (max): 12mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.77V
VS-12F120
Diode, 12A, 265A, DO-203AB ( DO-5 ), DO-203AB, 1200V. IF(AV): 12A. IFSM: 265A. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. Remarque: filetage M5. IRM (max): 12mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/installation: Fixation filetée. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.77V
Lot de 1
15.40$ TTC
(14.25$ HT)
15.40$
Quantité en stock : 174
VS-60APU04-N3

VS-60APU04-N3

Diode, 60A, 600A, TO-247, TO-247AC 3L. IF(AV): 60A. IFSM: 600A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fi...
VS-60APU04-N3
Diode, 60A, 600A, TO-247, TO-247AC 3L. IF(AV): 60A. IFSM: 600A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Equivalences: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: brochage 60EPUxx 1. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V
VS-60APU04-N3
Diode, 60A, 600A, TO-247, TO-247AC 3L. IF(AV): 60A. IFSM: 600A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Soft Recovery Diode. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. Equivalences: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: brochage 60EPUxx 1. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V
Lot de 1
8.29$ TTC
(7.67$ HT)
8.29$
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VS-8TQ100-M3

VS-8TQ100-M3

Diode, 8A, 850A, TO-220, TO-220-2 (TO-220AC), 100V. IF(AV): 8A. IFSM: 850A. Boîtier: TO-220. Boîti...
VS-8TQ100-M3
Diode, 8A, 850A, TO-220, TO-220-2 (TO-220AC), 100V. IF(AV): 8A. IFSM: 850A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (min): 0.72V
VS-8TQ100-M3
Diode, 8A, 850A, TO-220, TO-220-2 (TO-220AC), 100V. IF(AV): 8A. IFSM: 850A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Fonction: diode de redressement Schottky. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (min): 0.72V
Lot de 1
2.80$ TTC
(2.59$ HT)
2.80$
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WNS40100CQ

WNS40100CQ

Diode, 20A, 165A, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 165A. Boîtier: TO-220. Boîtier (se...
WNS40100CQ
Diode, 20A, 165A, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 165A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky de puissance. IRM (max): 30mA. IRM (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.71V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V
WNS40100CQ
Diode, 20A, 165A, TO-220, TO-220AC-3P, 100V. IF(AV): 20A. IFSM: 165A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky de puissance. IRM (max): 30mA. IRM (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.71V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V
Lot de 1
2.25$ TTC
(2.08$ HT)
2.25$
Quantité en stock : 6
YG911S2

YG911S2

Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: plastique. R...
YG911S2
Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: plastique. Remarque: 0402-000491. Remarque: 50Ap / 10ms
YG911S2
Diode, 5A, 200V. IF(AV): 5A. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: plastique. Remarque: 0402-000491. Remarque: 50Ap / 10ms
Lot de 1
5.93$ TTC
(5.49$ HT)
5.93$

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