Mémoires divers
Microchip Technology Inc.
93LC86CT-I-ST
Microchip Technology 93LC86CT-I-ST CI EEPROM Série 16 Kbit
Microchip Technology Inc.
93LC86T-I-SN
Microchip 93LC86T-I-SN EEPROM Série 16K, SOIC-8-TR, Température Industrielle
Microchip Technology Inc.
93LC86T-SN
Microchip 93LC86T-SN EEPROM Série 16K, SOIC-8-TR
Samsung
1103-001441
Samsung 24C1024 IC-EEPROM, 1 Mbit, 128Kx8, SOP-8P
Sony
6116-120
Sony 6116-120 RAM Statique (SRAM) 2K x 8, 120ns, 24 Broches
Samsung
6116-SMD-120
Samsung 6116-SMD-120 RAM Statique (SRAM) 2K x 8, 120ns, 24 Broches SO
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9346N
National Semiconductor NMC9346N EEPROM, 128x8 ou 64x16, 8 Broches
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27128-DIV
27128-DIV UV EPROM IC – Composant de Mémoire Morte Programmable Effaçable par UV
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27512-200
EPROM Générique 27512-200 64Kx8 200ns 12.5V
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68000CP8
Motorola 68000CP8 CPU 8 Bits, 8MHz
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AK6420AF-E2
Composant Monté en Surface AK6420AF-E2 pour SONY SLVX711
Amd
AM29F040B-70EC
Amd AM29F040B-70EC 4Mbit 5V 512x8bit Mémoire Flash CMOS 32 broches CMS TS-32
Amd
AM29F040B-90JF
AMD AM29F040B-90JF Mémoire Flash CMOS 4Mbit, PLCC-32
Alliance Semiconductor
AS6C6264-55PCN
Alliance AS6C6264-55PCN SRAM Asynchrone 64K, DIP-28
Alliance Semiconductor
AS7C164-20PC
Alliance AS7C164-20PC SRAM CMOS 64K, DIP-28
Microchip Technology Inc.
AT21CS01-MSHM10-T
Microchip AT21CS01-MSHM10-T EEPROM 125Kbps, 2-XSFN
Microchip Technology Inc.
AT21CS01-SSHM10-B
Microchip AT21CS01-SSHM10-B EEPROM 125Kbps, 8-SOIC
Microchip Technology Inc.
AT21CS01-SSHM10-T
Microchip AT21CS01-SSHM10-T EEPROM 125Kbps, 8-SOIC
Microchip Technology Inc.
AT21CS01-STUM10-T
Microchip AT21CS01-STUM10-T EEPROM 125Kbps, 3-SOT23
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AT21CS01-TOHM10-B
Microchip AT21CS01-TOHM10-B 1.7-3.6V 125Kbps Température Industrielle TO-92 Mémoire
Microchip Technology Inc.
AT21CS11-MSH10-B
Microchip Technology AT21CS11-MSH10-B 1-Wire EEPROM Circuit Intégré de Mémoire, 1Kbit, Boîtier SOT-2