Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire EEPROM 16Kbit. Remarque: high speed clock. Remarque: 4.5V...5.5V max 20MHz. Remarque: 2.5V...5.5V max 10MHz. Remarque: 1.8V...5.5V, 5MHz max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 1.000.000 cycles d'écriture, rétention de données 100 ans . Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+125°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FLASH - NOR. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 900ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Fonction: OTP-EPROM. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Fonction: EEPROM parallèle. Remarque: 50mA Active Current. Remarque: 200uA CMOS Standby Current. Nombre de connexions: 32. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 5V

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FLASH - NOR. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 200ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FLASH - NOR. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 200ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Marquage sur le boîtier: 93C46P. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marquage sur le boîtier: 24C164LI. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marquage sur le boîtier: 24C64F. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 64kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marquage sur le boîtier: 24C64F. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: SRAM. Série: CMOS

Circuit intégré mémoire. Fonction: mémoire RAM statique CMOS 2K x 8. Spec info: 120ns access time. Tension d'alimentation: 5V

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: SRAM - Asynchronous. Interface: Parallèle. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 45ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 4.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SOP32. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 11. Remarque: CMOS basse consommation. Remarque: avec batterie de secours. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-32. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 4.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de mémoire: SRAM +RTC. Famille de circuits mémoire: DS13. Taille de la mémoire [octet]: 64 Byte. Configuration de la mémoire: 64x8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100kHz. Type d'interface: interface série, bus I2C. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP16. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus série. Famille de circuits mémoire: DS24. Taille de la mémoire [octet]: 4 Kbit. Configuration de la mémoire: 16x256-bit. Signal d'horloge max (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Type d'interface: interface série, '1-Wire / 3-wire'. Tension d'alimentation mini (V): +2.8V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus série. Famille de circuits mémoire: DS24. Taille de la mémoire [octet]: 4 Kbit. Configuration de la mémoire: 16x256-bit. Signal d'horloge max (MHz): 15.2kbit/s - 2Mbit/s. Type d'interface: interface série, '1-Wire / 3-wire'. Tension d'alimentation mini (V): +2.8V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG TXT. Remarque: CMOS S-RAM. Boîtier: DIP

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 4.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 4.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Taille mémoire: 64Kbit (8Kx8). Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 4.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FRAM. Taille mémoire: 64Kbit (8Kx8). Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 4.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a