Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
Semi-conducteurs Transistors
Transistors bipolaires PNP

Transistors bipolaires PNP

514 produits disponibles
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Quantité en stock : 3
2SA748

2SA748

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit i...
2SA748
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W
2SA748
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W
Lot de 1
3.13$ TTC
(2.90$ HT)
3.13$
Quantité en stock : 5
2SA777

2SA777

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 80V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit impri...
2SA777
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 80V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W
2SA777
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 80V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W
Lot de 1
1.50$ TTC
(1.39$ HT)
1.50$
Quantité en stock : 4
2SA781

2SA781

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 20V/15V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit i...
2SA781
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 20V/15V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V/15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W
2SA781
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 20V/15V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V/15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W
Lot de 1
1.84$ TTC
(1.70$ HT)
1.84$
Quantité en stock : 23
2SA825

2SA825

Transistor PNP, 0.05A, 80V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Qu...
2SA825
Transistor PNP, 0.05A, 80V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Type de transistor: PNP
2SA825
Transistor PNP, 0.05A, 80V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Type de transistor: PNP
Lot de 1
0.50$ TTC
(0.46$ HT)
0.50$
Quantité en stock : 13
2SA838

2SA838

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30V/20V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit im...
2SA838
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30V/20V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 0.03A. Plage de température de fonctionnement min (°C): PNP. Plage de température de fonctionnement max (°C): 30 v
2SA838
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30V/20V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 0.03A. Plage de température de fonctionnement min (°C): PNP. Plage de température de fonctionnement max (°C): 30 v
Lot de 1
0.69$ TTC
(0.64$ HT)
0.69$
Quantité en stock : 22
2SA881

2SA881

Transistor PNP, 1A, 40V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Résista...
2SA881
Transistor PNP, 1A, 40V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Résistance B: non. Diode BE: Transistor bipolaire PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): D8A/C. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: PNP
2SA881
Transistor PNP, 1A, 40V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Résistance B: non. Diode BE: Transistor bipolaire PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): D8A/C. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: PNP
Lot de 1
0.80$ TTC
(0.74$ HT)
0.80$
Quantité en stock : 2
2SA900

2SA900

Transistor PNP, 1A, 20V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. QuantitÃ...
2SA900
Transistor PNP, 1A, 20V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 4W. Type de transistor: PNP
2SA900
Transistor PNP, 1A, 20V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 4W. Type de transistor: PNP
Lot de 1
2.54$ TTC
(2.35$ HT)
2.54$
Quantité en stock : 100
2SA916

2SA916

Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier ...
2SA916
Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
2SA916
Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
Lot de 1
2.10$ TTC
(1.94$ HT)
2.10$
Quantité en stock : 6
2SA934

2SA934

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 40V/32V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit impr...
2SA934
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 40V/32V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W
2SA934
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 40V/32V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W
Lot de 1
0.50$ TTC
(0.46$ HT)
0.50$
Quantité en stock : 42
2SA940

2SA940

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier ...
2SA940
Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2073. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V
2SA940
Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2073. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V
Lot de 1
1.72$ TTC
(1.59$ HT)
1.72$
Quantité en stock : 23
2SA949

2SA949

Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (...
2SA949
Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: audio/vidéo. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: hauteur 9mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
2SA949
Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: audio/vidéo. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Spec info: hauteur 9mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
Lot de 1
3.30$ TTC
(3.05$ HT)
3.30$
Quantité en stock : 26
2SA965

2SA965

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. BoÃ...
2SA965
Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Processus PCT. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2235-Y. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
2SA965
Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Processus PCT. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2235-Y. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
Lot de 1
3.32$ TTC
(3.07$ HT)
3.32$
Quantité en stock : 150
2SA970

2SA970

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (se...
2SA970
Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2240. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
2SA970
Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2240. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
Lot de 1
0.75$ TTC
(0.69$ HT)
0.75$
Quantité en stock : 108
2SA970-GR

2SA970-GR

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (se...
2SA970-GR
Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
2SA970-GR
Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
Lot de 1
0.84$ TTC
(0.78$ HT)
0.84$
Quantité en stock : 20
2SA984

2SA984

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (sel...
2SA984
Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
2SA984
Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
Lot de 1
0.83$ TTC
(0.77$ HT)
0.83$
En rupture de stock
2SA985

2SA985

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier ...
2SA985
Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2275. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
2SA985
Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2275. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
Lot de 1
4.35$ TTC
(4.02$ HT)
4.35$
Quantité en stock : 30
2SA990

2SA990

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V/50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit i...
2SA990
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V/50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W
2SA990
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V/50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W
Lot de 1
0.63$ TTC
(0.58$ HT)
0.63$
Quantité en stock : 39
2SA999

2SA999

Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (sel...
2SA999
Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
2SA999
Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
Lot de 1
4.98$ TTC
(4.61$ HT)
4.98$
Quantité en stock : 1
2SB1009

2SB1009

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 40V/32V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imp...
2SB1009
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 40V/32V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W
2SB1009
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 40V/32V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W
Lot de 1
1.37$ TTC
(1.27$ HT)
1.37$
Quantité en stock : 1
2SB1012

2SB1012

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 120V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit impr...
2SB1012
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 120V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W
2SB1012
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 120V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W
Lot de 1
1.68$ TTC
(1.55$ HT)
1.68$
Quantité en stock : 1
2SB1039

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Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, M10/J, 100V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimÃ...
2SB1039
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, M10/J, 100V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M10/J. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W
2SB1039
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, M10/J, 100V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M10/J. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W
Lot de 1
2.45$ TTC
(2.27$ HT)
2.45$
Quantité en stock : 89
2SB1123S

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Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selo...
2SB1123S
Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP
2SB1123S
Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP
Lot de 1
1.83$ TTC
(1.69$ HT)
1.83$
Quantité en stock : 176
2SB1123T

2SB1123T

Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selo...
2SB1123T
Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623T. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP
2SB1123T
Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623T. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP
Lot de 1
1.75$ TTC
(1.62$ HT)
1.75$
Quantité en stock : 89
2SB1132

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Transistor PNP, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîti...
2SB1132
Transistor PNP, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 (SC-62). Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Diode BE: non. C (out): 20pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Marquage sur le boîtier: BA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: SMD BA0. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
2SB1132
Transistor PNP, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 (SC-62). Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Diode BE: non. C (out): 20pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Marquage sur le boîtier: BA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: SMD BA0. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
Lot de 1
1.31$ TTC
(1.21$ HT)
1.31$
Quantité en stock : 31
2SB1143

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Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (...
2SB1143
Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 39pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: NF/SL. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1683. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V
2SB1143
Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 39pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: NF/SL. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1683. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V
Lot de 1
1.89$ TTC
(1.75$ HT)
1.89$

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