Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
Semi-conducteurs Transistors
Transistors FET et MOSFET canal N

Transistors FET et MOSFET canal N

1210 produits disponibles
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Quantité en stock : 57
IRF2805

IRF2805

Transistor canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25Â...
IRF2805
Transistor canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.9M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5110pF. C (out): 1190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Protection G-S: non. Id(imp): 700A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF2805
Transistor canal N, 43A, 75A, 250uA, 3.9M Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.9M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5110pF. C (out): 1190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Protection G-S: non. Id(imp): 700A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
4.65$ TTC
(4.30$ HT)
4.65$
Quantité en stock : 72
IRF2807

IRF2807

Transistor canal N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°...
IRF2807
Transistor canal N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3850pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 280A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF2807
Transistor canal N, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3850pF. C (out): 610pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 280A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
3.06$ TTC
(2.83$ HT)
3.06$
Quantité en stock : 147
IRF2807PBF

IRF2807PBF

Transistor canal N, 75V, 82A, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: ...
IRF2807PBF
Transistor canal N, 75V, 82A, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRF2807PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3
IRF2807PBF
Transistor canal N, 75V, 82A, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Marquage du fabricant: IRF2807PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3
Lot de 1
3.70$ TTC
(3.42$ HT)
3.70$
Quantité en stock : 73
IRF2807SPBF

IRF2807SPBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Boîtier: soudure...
IRF2807SPBF
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F2807S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF2807SPBF
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F2807S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Lot de 1
4.62$ TTC
(4.27$ HT)
4.62$
Quantité en stock : 14
IRF2903Z

IRF2903Z

Transistor canal N, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T...
IRF2903Z
Transistor canal N, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 260A. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 290W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET
IRF2903Z
Transistor canal N, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 260A. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 290W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET
Lot de 1
5.41$ TTC
(5.00$ HT)
5.41$
Quantité en stock : 7
IRF2903ZS

IRF2903ZS

Transistor canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=1...
IRF2903ZS
Transistor canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6320pF. C (out): 1980pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 1020A. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF2903ZS
Transistor canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6320pF. C (out): 1980pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 1020A. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
7.63$ TTC
(7.06$ HT)
7.63$
Quantité en stock : 101
IRF2907Z

IRF2907Z

Transistor canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 60.4k...
IRF2907Z
Transistor canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 7500pF. C (out): 970pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 680A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF2907Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V
IRF2907Z
Transistor canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 7500pF. C (out): 970pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 680A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF2907Z. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
6.54$ TTC
(6.05$ HT)
6.54$
Quantité en stock : 32
IRF2907ZS-7P

IRF2907ZS-7P

Transistor canal N, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. ...
IRF2907ZS-7P
Transistor canal N, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 180A. Idss (maxi): 180A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Tension Vds(max): 75V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 300W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET
IRF2907ZS-7P
Transistor canal N, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 180A. Idss (maxi): 180A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Tension Vds(max): 75V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 300W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET Power MOSFET
Lot de 1
8.90$ TTC
(8.23$ HT)
8.90$
Quantité en stock : 357
IRF3205

IRF3205

Transistor canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=2...
IRF3205
Transistor canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Protection G-S: non. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF3205
Transistor canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Protection G-S: non. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
3.28$ TTC
(3.03$ HT)
3.28$
Quantité en stock : 1494
IRF3205PBF

IRF3205PBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 55V, 98A. Boîtier: soudure sur circuit ...
IRF3205PBF
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 55V, 98A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF3205PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF3205PBF
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 55V, 98A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF3205PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Lot de 1
3.98$ TTC
(3.68$ HT)
3.98$
Quantité en stock : 96
IRF3205S

IRF3205S

Transistor canal N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100...
IRF3205S
Transistor canal N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250nA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Protection G-S: non. Id(imp): 390A. Idss (min): 25nA. Equivalences: IRF3205SPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V
IRF3205S
Transistor canal N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250nA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Protection G-S: non. Id(imp): 390A. Idss (min): 25nA. Equivalences: IRF3205SPBF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
3.25$ TTC
(3.01$ HT)
3.25$
Quantité en stock : 1402
IRF3205STRLPBF

IRF3205STRLPBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Boîtier: soudure...
IRF3205STRLPBF
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F3205S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF3205STRLPBF
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F3205S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Lot de 1
3.36$ TTC
(3.11$ HT)
3.36$
Quantité en stock : 293
IRF3205Z

IRF3205Z

Transistor canal N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25...
IRF3205Z
Transistor canal N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 4.9m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3450pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Protection G-S: non. Id(imp): 440A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF3205Z
Transistor canal N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 4.9m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3450pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Protection G-S: non. Id(imp): 440A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
3.76$ TTC
(3.48$ HT)
3.76$
Quantité en stock : 173
IRF3205ZPBF

IRF3205ZPBF

Transistor canal N, 55V, 0.0049 Ohm, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 55V. Résistance passan...
IRF3205ZPBF
Transistor canal N, 55V, 0.0049 Ohm, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 55V. Résistance passante Rds On: 0.0049 Ohm. Boîtier: TO-220AB. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 75A. Puissance: 170W
IRF3205ZPBF
Transistor canal N, 55V, 0.0049 Ohm, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 55V. Résistance passante Rds On: 0.0049 Ohm. Boîtier: TO-220AB. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 75A. Puissance: 170W
Lot de 1
2.84$ TTC
(2.63$ HT)
2.84$
Quantité en stock : 83
IRF3315

IRF3315

Transistor canal N, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25...
IRF3315
Transistor canal N, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1300pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 174 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 108A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 136W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V
IRF3315
Transistor canal N, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1300pF. C (out): 300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 174 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 108A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 136W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
2.78$ TTC
(2.57$ HT)
2.78$
Quantité en stock : 52
IRF3415

IRF3415

Transistor canal N, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=...
IRF3415
Transistor canal N, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 43A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2400pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF3415
Transistor canal N, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 43A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2400pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
3.43$ TTC
(3.17$ HT)
3.43$
Quantité en stock : 5
IRF3415PBF

IRF3415PBF

Transistor canal N, 150V, 0.042 Ohms, TO-220. Tension drain - source (Vds): 150V. Résistance passan...
IRF3415PBF
Transistor canal N, 150V, 0.042 Ohms, TO-220. Tension drain - source (Vds): 150V. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 43A. Puissance: 130W
IRF3415PBF
Transistor canal N, 150V, 0.042 Ohms, TO-220. Tension drain - source (Vds): 150V. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 43A. Puissance: 130W
Lot de 1
6.81$ TTC
(6.30$ HT)
6.81$
Quantité en stock : 140
IRF3710

IRF3710

Transistor canal N, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25Â...
IRF3710
Transistor canal N, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 23m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3230pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF3710
Transistor canal N, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 23m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3230pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 49 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
3.26$ TTC
(3.02$ HT)
3.26$
Quantité en stock : 238
IRF3710PBF

IRF3710PBF

Transistor canal N, 100V, TO220. Vdss (tension drain à source): 100V. Boîtier: TO220. Polarité: M...
IRF3710PBF
Transistor canal N, 100V, TO220. Vdss (tension drain à source): 100V. Boîtier: TO220. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 57A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 200W. Type de montage: THT
IRF3710PBF
Transistor canal N, 100V, TO220. Vdss (tension drain à source): 100V. Boîtier: TO220. Polarité: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 57A. Tension d'entraînement: 10V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Dissipation de puissance maxi: 200W. Type de montage: THT
Lot de 1
5.10$ TTC
(4.72$ HT)
5.10$
Quantité en stock : 53
IRF3710S

IRF3710S

Transistor canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100...
IRF3710S
Transistor canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF3710S
Transistor canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.025 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3000pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 210 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 58 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
5.11$ TTC
(4.73$ HT)
5.11$
Quantité en stock : 280
IRF3710SPBF

IRF3710SPBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Boîtier: soudur...
IRF3710SPBF
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F3710S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
IRF3710SPBF
Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F3710S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3130pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C
Lot de 1
6.48$ TTC
(5.99$ HT)
6.48$
Quantité en stock : 10
IRF3710Z

IRF3710Z

ROHS: Oui. Boîtier: TO220, TO220AB. Puissance: 160W. Montage/installation: THT. Type de transistor:...
IRF3710Z
ROHS: Oui. Boîtier: TO220, TO220AB. Puissance: 160W. Montage/installation: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Polarité: unipolaire. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 100V. Courant de drain: 59A. Résistance dans l'état passant: 18m Ohms. Tension grille-source: 20V, ±20V. Résistance thermique du boîtier: 920mK/W. Charge: 82nC. Conditionnement: tubus
IRF3710Z
ROHS: Oui. Boîtier: TO220, TO220AB. Puissance: 160W. Montage/installation: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Polarité: unipolaire. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 100V. Courant de drain: 59A. Résistance dans l'état passant: 18m Ohms. Tension grille-source: 20V, ±20V. Résistance thermique du boîtier: 920mK/W. Charge: 82nC. Conditionnement: tubus
Lot de 1
5.26$ TTC
(4.87$ HT)
5.26$
Quantité en stock : 39
IRF3711S

IRF3711S

Transistor canal N, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Id (T=100Â...
IRF3711S
Transistor canal N, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4.7M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 2980pF. C (out): 1770pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: DC-DC isolé haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 440A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V
IRF3711S
Transistor canal N, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 4.7M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 2980pF. C (out): 1770pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: DC-DC isolé haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 440A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V
Lot de 1
3.57$ TTC
(3.30$ HT)
3.57$
Quantité en stock : 4
IRF3711ZS

IRF3711ZS

Transistor canal N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Id (T=100Â...
IRF3711ZS
Transistor canal N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 92A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohm. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 2150pF. C (out): 680pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Buck synchrone haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 380A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V
IRF3711ZS
Transistor canal N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 92A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 0.0048 Ohm. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 2150pF. C (out): 680pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Buck synchrone haute fréquence. Protection G-S: non. Id(imp): 380A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 79W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.45V. Vgs(th) min.: 1.55V
Lot de 1
4.37$ TTC
(4.04$ HT)
4.37$
Quantité en stock : 137
IRF3808

IRF3808

Transistor canal N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 97A. Id (T=...
IRF3808
Transistor canal N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 97A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0059 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 5310pF. C (out): 890pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 93 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 550A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF3808. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
IRF3808
Transistor canal N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 97A. Id (T=25°C): 140A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0059 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 5310pF. C (out): 890pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 93 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 550A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF3808. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 330W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 68 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
Lot de 1
5.53$ TTC
(5.12$ HT)
5.53$

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