Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 48A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 48A. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOPLUS247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 3900pF. C (out): 280pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 35ns. Fonction: C2-Class High Speed IGBT. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 300A. Remarque: transistor IGBT HiPerFAST. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms 300A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V

Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2113pF. C (out): 197pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Fonction: IGBT avec diode de récupération ultra-rapide. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 260A. Remarque: isolation 2500V (50/60Hz RMS, t=1minute). Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 268W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 127 ns. Td(on): 43 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 36A, 200uA, 0.092 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263AB ), 300V. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.092 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263AB ). Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHTTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AD, 500V, 24A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXTH24N50. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.23 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 80 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AD, 1 kV, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AD. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IXTH5N100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 75A, 96A, 250uA, 24m Ohms, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 96A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 24m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. C (in): 4800pF. C (out): 1020pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 160 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Protection G-S: non. Id(imp): 225A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 600W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-220, TO-220, 300V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Protection G-S: non. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 50A, 150uA, 92 Ohms, TO-220, TO-220, 300V. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 92 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 300V. C (in): 4000pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Protection G-S: non. Id(imp): 130A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 75A, 90A, 250uA, 0.066 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.066 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2500pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Protection G-S: non. Id(imp): 240A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 176W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchMVTM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 75A, 90A, 200uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220, 55V. Ic(T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2770pF. C (out): 420pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Protection G-S: non. Id(imp): 240A. Idss (min): 2uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: TrenchT2TM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 36A, 36A, 200uA, 92m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 92m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 2250pF. C (out): 370pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Protection G-S: non. Id(imp): 90A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 97 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 12A, 24A, 200uA, 270 milliOhms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 270 milliOhms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2890pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Protection G-S: non. Id(imp): 50A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 480W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PolarP2TM Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 75A, 88A, 1mA, 40m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 88A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 300V. C (in): 6300pF. C (out): 950pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: N-Channel Enhancement Mode. Protection G-S: non. Id(imp): 220A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 600W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 96 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: PolarHT Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V

Transistor canal N, 8 Ohms, TO-92, TO-92, 25V. Résistance passante Rds On: 8 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 160pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Protection G-S: non. Idss (min): 100mA. IGF: 50mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 5 ns. Td(on): 6 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 0.7V. Tension grille/source VGS (off) max.: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.5V

Transistor canal N, 30 Ohms, 35V. Résistance passante Rds On: 30 Ohms. Tension Vds(max): 35V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: Up 10V. Idss (min): 20mA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension grille/source VGS (off) max.: 10V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3V

Transistor canal N, 5mA, TO-92, TO-92 Ammo-Pak, 35V. Idss (maxi): 5mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 Ammo-Pak. Tension Vds(max): 35V. C (in): 28pF. C (out): 5pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: Up 4.5V. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V

Transistor canal N, 100 Ohms, TO-92, TO-92, 35V. Résistance passante Rds On: 100 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 35V. C (in): 28pF. C (out): 5pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Protection G-S: non. Idss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 35V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.5V

Transistor canal N, 1.4A, 1.4A, 30 v. Id (T=25°C): 1.4A. Idss (maxi): 1.4A. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: 0505-111646. Remarque: sérigraphie/code CMS QU. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD 5p.

Transistor canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1700pF. C (out): 184pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 44A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 49W. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 650V. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1650pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 49.6W. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 5.5A, 9A, 9A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 780pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 272 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Protection G-S: non. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 1uA, 0.65 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1160pF. C (out): 134pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Trr Diode (Min.): 360ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 32A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: MDF9N60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 2A, 6uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 62V. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 6uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 62V. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Electronique automobile. Protection G-S: oui. Idss (min): 0.6uA. Marquage sur le boîtier: L2N06CL. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Spec info: MOSFET HYBRID. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 5us. Td(on): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 60V, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MMBF170. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 60V, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C