Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. Id (T=25°C): 5.1A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-6. Tension Vds(max): 20V. C (in): 510pF. C (out): 200pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: applications de batterie lithium-ion, ordinateur portable. Protection G-S: non. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 446. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: Commande de porte par niveau logique. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 0.6V

Transistor canal N, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247, TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. Id (T=100°C): 83A. Id (T=25°C): 118A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-3L, CASE 340CX. Tension Vds(max): 900V. C (in): 4416pF. C (out): 296pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: UPS, convertisseur DC/DC, onduleur Boost. Protection G-S: non. Id(imp): 472A. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 503W. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 19V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 38A, 53A, 53A, 7.6m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 38A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 53A. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 108A/10ms. Id(imp): 108A. Remarque: sérigraphie/code CMS 4744N. Marquage sur le boîtier: 4744N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 47W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 138A, 191A, 191A, 1.3M Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 138A. Id (T=25°C): 191A. Idss (maxi): 191A. Résistance passante Rds On: 1.3M Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 288A/10ms. Id(imp): 288A. Remarque: sérigraphie/code CMS 4833N. Marquage sur le boîtier: 4833N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 114W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 75A, 104A, 104A, 2.9m Ohms, SO, SO-8FL, 30 v. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 104A. Idss (maxi): 104A. Résistance passante Rds On: 2.9m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8FL. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: ID pulse 208A/10ms. Id(imp): 208A. Remarque: sérigraphie/code CMS 4835N. Marquage sur le boîtier: 4835N. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 63W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Power MOSFET

Transistor canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 790pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 15.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amélioration du niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.8 ns. Td(on): 2.2 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 30A, 0.1uA, 30A, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB. Id (T=25°C): 30A. Idss: 0.1uA. Idss (maxi): 30A. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. C (in): 860pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 50A, 50uA, 50A, 5.1M Ohms, TO-263 (D2PAK). Id (T=25°C): 50A. Idss: 50uA. Idss (maxi): 50A. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-263 (D2PAK). C (in): 2780pF. C (out): 641pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 34 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 100A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 59.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 35A, 50A, 25uA, 50A, 15m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 50A. Résistance passante Rds On: 15m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 1200pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 150A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 50A, 75A, 25uA, 75A, 5M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 20V. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 75A. Idss: 25uA. Idss (maxi): 75A. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 20V. C (in): 5000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 37 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 170A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ

Transistor canal N, 30A, 45A, 10uA, 0.016 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 25V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-404. Tension Vds(max): 25V. C (in): 920pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor de puissance à effet de champ. Commande par niveau logique. Protection G-S: non. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 86W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 78 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 45A, 45A, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 25V. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 45A. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 25V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Transistor de puissance à effet de champ. Commande par niveau logique. Id(imp): 180A. Dissipation de puissance maxi: 86W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: TrenchMOS transistor

Transistor canal N, 6.2A, 8.7A, 8.7A, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 6.2A. Id (T=25°C): 8.7A. Idss (maxi): 8.7A. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 88W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS SOT78

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, 100V, 1.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: PMV213SN. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.5 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 47A, 68A, 100uA, 13.9m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK (SOT404), 100V. Id (T=100°C): 47A. Id (T=25°C): 68A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 13.9m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK (SOT404). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3195pF. C (out): 221pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 52 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation standard. Protection G-S: non. Id(imp): 272A. Idss (min): 0.06uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52.5 ns. Td(on): 20.7 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 60.8A, 75A, 500uA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 100V. Id (T=100°C): 60.8A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 4900pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 240A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Spec info: IDM--240A (Tmb 25°C; pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 36A, 50A, 500uA, 30 milliOhms, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 30 milliOhms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Tension Vds(max): 150V. C (in): 4720pF. C (out): 456pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 118 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 200A. Idss (min): 0.05uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Spec info: IDM--200A (Tmb 25°C; pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 79 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: 'enhancement mode field-effect transistor'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 650V. C (in): 30pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Protection G-S: non. Id(imp): 21.9A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 07N65C3. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2930pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 380A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: 2N03L04. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 188W. RoHS: oui. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: Cool Mos. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-251AA, 50V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-251AA. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFD14N05L. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, 50V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F14N05. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 12A, 1uA, 12A, 0.15 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 850pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commande par niveau logique, protection ESD. Protection G-S: diode. Marquage sur le boîtier: F3055L. Dissipation de puissance maxi: 48W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'

Transistor canal N, 10A, 12A, 50uA, 0.20 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 900pF. C (out): 325pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: non. Id(imp): 30A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F12N10L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+155°C. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 12A, 12A, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: MegaFET. Dissipation de puissance maxi: 53W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Enhancement-Mode Power MOSFET'

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 60V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: RFP3055LE. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C