Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, 80A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de redressement et de commutation très rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V

Diode, 1A, 20A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ), 40V. IF(AV): 1A. IFSM: 20A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diode Schottky de commutation. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--20A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 800V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, 1A, 30A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery'. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V

Diode, SOD-57, 200V, 2A. Boîtier: SOD-57. VRRM: 200V. Courant redressé moyen par diode: 2A. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.07V / 3A. Type de montage: THT. Temps de récupération inverse (max): 25ns. Série: BYV27

Diode, 200V, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 200V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ), 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 40 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.07V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V

Diode, 3.5A, 90A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3.5A. IFSM: 90A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Avalanche Sinterglass Diode Fast'. Date de production: 201412. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: BYV28-200. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V

Diode, 3.1A, 90A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 600V. IF(AV): 3.1A. IFSM: 90A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.93V

Diode, 9A, 100A, TO-220, TO-220AC ( SOD59 ), 500V. IF(AV): 9A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 2uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode, 10A, 125A, TO-220, SOT78 (TO-220AB), 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. RoHS: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. Remarque: cathode commune. Marquage sur le boîtier: BYV32E-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V

Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AB, SOT78, 500V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. Marquage sur le boîtier: BYV34-500. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V

Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass passivated, 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseurs rapides Mesa au silicium. Date de production: 2013/40. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 150V. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. Remarque: cathode commune. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V

Diode, 15A, 75A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 200V. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V

Diode, 12.7A, 150A, TO-220, TO-220-2, 200V. IF(AV): 12.7A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.83V

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI S. Remarque: 100App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 800V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI S. Remarque: 80App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 8A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Cj: 45pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SWITCHMODE Power Rectifiers. IRM (max): 600uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V

Diode, 8A, 88A, TO-220FP, TO-220F, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 88A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diodes de redressement ultra-rapides (max 25ns). Remarque: Viso 2500V, Cisol 10pF. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.8V

Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 600V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Remarque: Diode de rectification et de commutation rapide. IRM (max): 46.4k Ohms. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V

Diode, 2A, 50A, SOD-57 ( Glass ), SOD-57 Glass, 1000V. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-57 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Mesa Rectifiers. IRM (max): 5uA. IRM (min): 0.1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI S. Remarque: 100App/10ms. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 8A, TO-220, TO-220B, 200V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220B. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SWITCHMODE Power Rectifiers. Remarque: Ifsm 100A/10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé