Diodes standard et de redressement

Diode, 3A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 200V. IF(AV): 3A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI S. Remarque: 100App/10ms. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 8A, TO-220, TO-220B, 200V. IF(AV): 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220B. VRRM: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: SWITCHMODE Power Rectifiers. Remarque: Ifsm 100A/10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 3A, 70A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers'. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--70App / 10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 3A, 70A, SOD-64 ( Glass ), SOD-64 Glass, 800V. IF(AV): 3A. IFSM: 70A. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redresseur d'avalanche contrôlé à récupération rapide et douce. IRM (max): 150uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--70Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V

Diode, 0.36A, 1600V. IF(AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI. Remarque: BYX10GP

Diode, 1.2A, 350V. IF(AV): 1.2A. VRRM: 350V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI-S

Diode, 10A, 1200V. IF(AV): 10A. VRRM: 1200V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: 11mm, 6 pans. Remarque: GI-L. Remarque: filetage M5

Diode, 1A, 300V. IF(AV): 1A. VRRM: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: GI

Diode, 20mA, DO-214, SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ), 45V. IF(AV): 20mA. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Circuit pilote LED 20mA/45V. Remarque: commande de LED à courant constant. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: pour une dissipation de 1W sans refroidissement, max 25V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -50...+150°C

Diode. RoHS: oui. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: Diode au silicium. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.04A. Ifsm [A]: 0.046A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 10..90V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C

Diode, 15A, 150A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 15A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode, 30A, 300A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 40V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode Schottky. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V

Diode. Remarque: Uf 0.98V. Remarque: diode à récupération ultra rapide. Remarque: Ifsm--65App

Diode, 5A, TO-220, TO-220, 200V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST DUAL DIODE. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--50A10mS. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--50A t=10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Diode, 20A, 275A, DO-4, DO-4P, 600V. IF(AV): 20A. IFSM: 275A. Boîtier: DO-4. Boîtier (selon fiche technique): DO-4P. VRRM: 600V. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Fonction: diode de puissance. Filetage: M5. Spec info: 275App/10ms. Poids: 6g. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 20A, 275A, DO-4, DO-4P, 600V. IF(AV): 20A. IFSM: 275A. Boîtier: DO-4. Boîtier (selon fiche technique): DO-4P. VRRM: 600V. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Fonction: diode de puissance. Filetage: M5. Spec info: 275App/10ms. Poids: 6g. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Diode, 40A, 600A, DO-5, DO-5P, 800V. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. VRRM: 800V. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Fonction: diode de puissance. Filetage: M6. Spec info: 600App/10ms. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, 40A, 600A, DO-5, DO-5P, 800V. IF(AV): 40A. IFSM: 600A. Boîtier: DO-5. Boîtier (selon fiche technique): DO-5P. VRRM: 800V. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Fonction: diode de puissance. Filetage: M6. Spec info: 600App/10ms. Montage/installation: à visser. Température de fonctionnement: -25...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.4V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Diode, DO-205, DO-205AC. Boîtier: DO-205. Boîtier (selon fiche technique): DO-205AC. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Remarque: DO-8P inversé, filetage M12. Remarque: boîtier fileté - Anode (courant élevé)

Diode, 15.9A, 300A, TO-220FP, TO-220FP-3, 600V. IF(AV): 15.9A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery Rectifiers'. Nombre de connexions: 3. Température: +125°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V

Diode, 20A, 255A, TO-220, TO-220L, 800V. IF(AV): 20A. IFSM: 255A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220L. VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifiers. IRM (max): 500uA. IRM (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V

Diode, 25A, 350A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 800V. IF(AV): 25A. IFSM: 350A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Remarque: cathode (1), anode (2), non connecté (3). Remarque: boîtier TO220 isolé. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: 350Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V

Diode, 0.2A, SOT-323, SOT-323, 20V. IF(AV): 0.2A. Boîtier: SOT-323. Boîtier (selon fiche technique): SOT-323. VRRM: 20V. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: Ultra High Speed Switching. Remarque: sérigraphie/code CMS UMD3. Marquage sur le boîtier: UMD3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Diode, 20mA, 500mA, 3x12mm, 12000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (min): 5uA. Dimensions: 3x12mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 20mA, 500mA, 3x12mm, 16000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 3x12mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V